TSMC presenta su tecnología N2 con nodo litográfico de 2 nanómetros

TSMC (Taiwan Semiconductor Manufacturing Company), líder mundial de fabricación de microchips (54 % de la producción mundial), acaba de presentar su nueva tecnología de litografiado de 2 nanómetros con la que se propone continuar a la cabeza del sector.

Denominada N2, permitirá un salto tecnológico capaz de ofrecer para el año 2025 microchips un 30 % más eficientes que los actuales, fabricados con la tecnología Nodo 3E. Tecnología esta última que ni siquiera ha llegado aún al mercado, dado que en estos momentos se emplea la tecnología de 5 nanómetros.

La clave del N2 es ser pionero en la utilización de transistores nanosheet GAAFET (Gate-All-Around Field-Effect Transistors), una estructura modificada de transistores en la que se produce un contacto multidireccional en los mismos que permite y facilita un escalado continuo.

No obstante la mejora de N2 con respecto de N3E en cuanto a la densidad de componentes no sería tan espectacular, apenas de un 10 %, lo que también indica la dificultad de continuar avanzando en el desarrollo de nuevas generaciones de fabricación de microchips.

Con esta reducción en el consumo energético se verán especialmente beneficiados los dispositivos electrónicos portátiles, que podrán gozar de una mayor autonomía de funcionamiento, pero también pueden salir favorecidos en cuanto a la miniaturización, puesto que podría ofrecerse una potencia equivalente a la anterior con componentes de menor tamaño.