Las barreras a superar en este tipo de procesos fueron presentadas por un empleado de la compañía en el actual VLSI Symposium que tiene lugar en Tokio. Según se reduce el tamaño, van apareciendo defectos debidos a que la corriente no fluye como debería. Una forma de mejorar el flujo de corriente, dijo, podría ser eliminar la resistencia del transistor. La pregunta es, ¿cómo?
Los expertos han encontrado un modo, inyectando elementos dopantes en la superficie que separa los electrodos del transistor y el substrato de silicio. Utilizando un prototipo de transistor operando a 0.7V., se ha conseguido mejorar el flujo de corriente en un 35% en comparación a los transistores tradicionales.
Toshiba también mejoró el flujo de corriente reduciendo la resistencia. Esto lo consiguieron inyectando semiconductor (silicio-germanio) en el electrodo.
Combinando estas dos tecnologías elementales con las de cableado multicapa, Toshiba ve el camino despejado para los chips basados en tecnología de 32 nanómetros e incluso más allá. µ
Traducción de Juan García de una noticia original de Nick Booth del 14 de junio de 2007.
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