Silicio espaciado para los nuevos procesadores de 90 nanómetros de AMD

El silicio espaciado es un método utilizado por los fabricantes de chips para ensanchar el camino a través del cual los electrones se mueven a través del chip. En la mayoría de los casos se aplica una capa de silicio de germanio en una oblea de silicio, y la reacción entre las dos sustancias extiende el espacio entre los átomos de las sustancias, permitiendo que los electrones se muevan más rápidamente a través del chip.

Tanto Intel como IBM utilizan la técnica de silicio espaciado para fabricar sus chips de 90 nanómetros. Por otra parte, IBM, al igual que AMD, utiliza una técnica adicional denominada SOI (silicon on insulator) en sus chips de 90 nanómetros. SOI es una técnica en la que los transistores se colocan en la parte superior de una oblea de silicio que ha sido recubierta con una capa de óxido de silicio. Esta técnica ayuda a reducir la cantidad de corriente que escapa de la estrecha estructura que se utiliza en la generación del proceso de los 90 nanómetros.