SanDisk y HP trabajan en una tecnología de almacenamiento 1.000 veces más rápida que flash
Para ello, se ha previsto recurrir tanto la memoria ReRAM no volátil de SanDisk como a la propuesta de memristor que defiende HP.
El objetivo es conseguir una tecnología que multiplique por 1.000 la velocidad que ofrece en la actualidad el almacenamiento flash. Pero también que haga lo mismo con su resistencia.
Y, más allá de eso, lograr sobrepasar a DRAM en toda una serie de niveles como son el precio o la densidad, por poner sólo dos ejemplos.
Ésos son los cálculos que subyacen tras el acuerdo de colaboración que han anunciado SanDisk y HP en el campo de las memorias, en el que utilizarán tanto la memoria ReRAM no volátil de la primera como el desarrollo de memristor de la segunda.
“La embestida de los datos que hace frente a las empresas seguirá siendo un reto para el futuro previsible”, ha contextualizado Martin Fink, vicepresidente ejecutivo y director de tecnología de HP al hablar del asunto.
Fink se ha mostrado “entusiasmado de estar trabajando con SanDisk”. No en vano, ambos socios compartirían el ensalzamiento de “la importancia de este reto” y la resolución de que “la solución se encuentra dentro de Memory-Driven Computing”.
“Se espera que nuestra asociación para colaborar en nuevas soluciones de tecnología SMC”, apunta Siva Sivaram, vicepresidente ejecutivo de Memory Technology de SanDisk, en referencia a Storage Class Memory, “revolucione la informática en los próximos años”.
Con esta asociación ya oficializada, lo único que queda es esperar que los trabajos den sus frutos y se anuncien novedades.
