Samsung, Intel y Taiwan Semiconductor Company (TSMC) han anunciado hoy un acuerdo de colaboración a través del cual establecerán una fecha para la transición a procesos de fabricación con obleas de silicio más grandes, de 300mm a 450 mm, a partir del año 2012.
Dicha transición a obleas más grandes va a permitir el crecimiento permanente del sector de los semiconductores, ayudando a mantener una estructura de costes razonable para el desarrollo y la fabricación de circuitos integrados en el futuro. La fabricación con obleas de mayor tamaño permitirá aumentar la capacidad para producir semiconductores a un coste menor y también podrán reducir el empleo general de recursos por procesador.
“El aumento de los costes debido a la complejidad de la tecnología avanzada es lo que más nos preocupa para el futuro, y la transición a las obleas de 450mm es una posible solución para mantener una estructura de costes razonable para la industria“, ha declarado a Reuters Mark Liu, vicepresidente senior de Tecnología Avanzada de Negocios de TSMC.
Los analistas no tienen una opinión tan optimista. Para ellos los costes de este proyecto serán un obstáculo importante. Una fábrica destinada a producir obleas de 18 pulgadas (450mm), podría costar 10 millones de dólares o más, casi el triple del precio de una fábrica de obleas de 12 pulgadas, indican.
Por esta razón sólo las empresas más importantes, como Intel, Samsung y TSMC, tendrán los recursos suficientes para ser los primeros en adaptar esta nueva tecnología.
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