Samsung ya tiene preparada su nueva generación de memorias GDDR6 para tarjeta gráficas

Samsung Electronics ha anunciado el inicio del proceso de fabricación de la primera  memoria GDDR6 DRAM de 16 gigabits, capaz de alcanzar velocidades de hasta 25 Gbps.

Basadas en la tecnología propietaria de Samsung de 10 nanómetros de tercera generación, estas memorias están destinadas a proporcionar un avance significativo en las prestaciones de la próxima generación de tarjetas gráficas tanto en ordenadores de consola como en consolas, además de servir para ejecutar aplicaciones de inteligencia artificial en sistemas informáticos de altas prestaciones.

Daniel Lee, vicepresidente ejecutivo del equipo de Planificación de Producto de Memoria en Samsung, explica que “la explosión de la gestión del dato a la que ha conducido la inteligencia artificial y el metaverso impulsa la necesidad de mayores capacidades en el procesado masivo y simultáneo de información, con velocidades extremas”.

Estas nuevas memorias GDDR6 DRAM incorporan un innovador diseño de su circuitería beneficiándose de un nuevo material aislante, el HKMG que minimiza las pérdidas de corriente. El conjunto proporciona velocidades un 30 % superiores a la anterior generación de 18 Gbps. Una vez integrado en una tarjeta gráfica del segmento premium, estas GDDR6 DRAM serán capaces de una transferencia de hasta 1.1 Tb, lo que equivale a poder transferir 275 películas en resolución Full HD en un segundo.

Además serán capaces de ofrecer prestaciones de bajo consumo que extenderán la autonomía de las baterías en los dispositivos que cuenten con estas memorias gracias al uso de una tecnología de interruptores de voltaje dinámico que ajusta el voltaje en función de los requerimientos del sistema. Con versiones de 20 Gbps y de 16 Gbps, su eficiencia energética supone una mejora del 20 % con respecto al estándar de la industria.

La comercialización de estas nuevas memorias dará comienzo este mismo mes de julio