Samsung ya está fabricando su memoria DDR4 de 10 nanómetros
En comparación con el producto anterior de 20 nanómetros, incrementa la productividad por encima del 30 % y reduce el consumo hasta un 20 %.
Durante el verano de 2013, Samsung anunció la fabricación de una memoria DDR4 que destacaba por basarse en el proceso de fabricación de 20 nanómetros, en vez de optar por los 30 nanómetros de las DRAM convencionales. Y ahora esta compañía avanza un poco más.
Samsung Electronics ha iniciado la producción en masa de chips y módulos DRAM DDR4 de 10 nanómetros. Son los primeros de este tipo que verán la luz. Y cabe señalar, además, que se trata de memoria de 8 Gb.
A la hora de cuantificar qué supondrá este avance, basta comparar sus características con las de la memoria DDR4 de 20 nanómetros para comprobar que sube de los 2.400 Mbps a los 3.200 Mbps de velocidad de transferencia de datos, lo que supone un incremento de la productividad de más del 30 %. Asimismo, se calcula que el consumo energético será entre un 10 % y un 20 % inferior.
Este nuevo producto está pensado para el mercado PC y de servidores al uso, pero también para sistemas de computación de alto rendimiento y otros recursos de próxima generación. Sus responsables se muestra seguros de que “habilitará el más alto nivel de eficiencia de inversión en los sistemas TI, convirtiéndose así en un nuevo motor de crecimiento para la industria de memoria global”.
“En un futuro”, adelanta Young-Hyun Jun, presidente del negocio de Memoria de Samsung Electronics, “también lanzaremos la próxima generación de productos DRAM móviles de 10 nm con altas densidades para ayudar a los fabricantes de móviles a desarrollar productos incluso más innovadores”.
