Samsung ha anunciado que ha comenzado la producción en masa de módulos de memoria de 256 gigabytes (GB) integrados con el almacenamiento flash universal (UFS) 2.0, tal y como recoge The Register.
El almacenamiento operará junto a 850 megabytes por segundo o permitirá gestionar la escritura a 260 megabytes por segundo.
Esto hará que un dispositivo móvil equipado con un USB 3.0 sea capaz de absorber una gran cantidad de datos a toda velocidad. De hecho, este almacenamiento será más rápido que los discos de estado sólido para PC.
Samsung ha afirmado que tiene más lanzamientos que anunciar en este campo con el objetivo de “ampliar su almacenamiento de memoria flash avanzada NAND-V, incluyendo el nuevo 256 GB UFS, y que aumentará su volumen de producción en función de los incrementos de la demanda mundial”.
El nuevo Galaxy S7 Samsung se ha presentado con solo 32 GB y puede ser una estrategia de la compañía para añadir esta opción de 256 GB.
No obstante, habrá que ver cuánto aumentará el precio de los dispositivos al incorporar esta opción alternativa de gran cantidad de memoria.
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