Samsung se lanza a la producción de memorias UFS 3.0 de 512 GB

Samsung Electronics quiere contribuir al desarrollo de smartphones más potentes con pantallas ultragrandes, de alta resolución, a través del desarrollo de almacenamiento eUFS 3.0.

Así, ha anunciado la producción en masa de las primeras memorias eUFS 3.0 de 512 GB que, respecto al almacenamiento eUFS 2.1, ofrecen el doble de velocidad. Duplican la tasa de lectura secuencial hasta los 2.100 MB/s. Esta cifra, además, es cuatro veces más alta que la ofrecida por SSD SATA y veinte veces mayor que la de una tarjeta microSD.

“El comienzo de la producción en masa de nuestra línea eUFS 3.0 nos brinda una gran ventaja en el mercado móvil de próxima generación, al que traemos una velocidad de lectura de memoria que antes solamente estaba disponible en ordenadores portátiles ultradelgados”, comenta Cheol Choi, vicepresidente ejecutivo de marketing y ventas de memoria en Samsung Electronics.

Su velocidad de escritura secuencial es de 410 MB/s. Mientras, las velocidades de lectura y escritura aleatorias mejoran hasta los 63.000 y 68.000 IOPS, lo que significa que son 630 veces mayores que en microSD.

“A medida que ampliamos nuestras ofertas eUFS 3.0, incluyendo una versión de 1 Terabyte (TB) a finales de este año, esperamos desempeñar un papel importante en la aceleración del impulso dentro del mercado móvil premium“, dice Choi. Y es que a esta primera versión de 512 GB y otra de 128 GB que Samsung también comercializará hay que sumar las de 1 TB y 256 GB que la firma surcoreana planea para el segundo semestre.