Samsung rompe la barrera de los 20nm
El fabricante presenta una nueva gama de memorias diseñadas para tarjetas SD y fabricadas con el proceso de 20 nanómetros.
Samsung ha explicado que sus nuevos chips Nand de 32GB multinivel están un paso por delante de sus unidades de 30 nanómetros, y que el nuevo proceso de 20nm es un 50% más productivo.
La velocidad de los chips se ha incrementado un 30%, alcanzando los 20Mbps de lectura y los 10Mbps en escritura. Los chips, con capacidad, de entre 4GB y 64GB llegarán al mercado a finales de año.
Sólo un año después de haber iniciado la producción de los Nand de 30nm, Samsung se ha adentrado en los 20nm, superando las demandas de los consumidores de mayor rendimientoy densidad de las soluciones basadas en Nand. Desde Samsung afirman que los nuevos Nand no sólo son más avanzados en cuanto al proceso de producción, sino que han incorporado “tecnología avanzadas que permiten un mayor rendimiento”.
La expansión del mercado Flash ha generado una guerra tecnológica entre los fabricantes de memoria y la tecnología de 25nm de los nuevos chips de Intel y Micron podría sufrir como resultado del anuncio de Samsung.
