El paso a procesos de fabricación de 50 nanómetros permite además, reducir el consumo de los chips a 1,35 voltios. Otra de las ventajas es la reducción de costes, aumentando la eficiencia de la producción hasta en un 100% frente a procesos de 60 nanómetros, señalan desde Samsung.
Los chips GDDR5 a 7GHz GDDR5 proporcionarán un ancho de banda máximo de 224/448 GB/s con interfaces de memoria de 256 y 512 bits respectivamente.
No se conoce los modelos de tarjetas gráficas de ATI o NVIDIA que utilizarán los módulos de Samsung, aunque se podrían incorporar a los próximos desarrollos de gama alta que llegarán a finales de año, señalan en X-Bit Labs.
En Samsung apuestan fuerte y junto a las nuevas GDDR5 para gráficas, se une la reciente validación de los primeros chips DRAM en procesos de 40 nanómetros, que abren el camino a la producción de memoria RAM de ultra-alto rendimiento DDR4.
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