Samsung presenta su DRAM DDR5 de 32 Gb con proceso de 12 nm

Samsung Electronics avanza en el desarrollo de memorias DRAM DDR5. Tras comenzar con la fabricación de DRAM DDR5 de 16 Gb y 12 nm, ahora anuncia el desarrollo del modelo de 32 Gb, cuya producción en masa está prevista para finales de año.

Pensada para centros de datos, aplicaciones como la inteligencia artificial, la industria y entornos que demandan eficiencia energética, esta solución destaca por aumentar la densidad de integración y la optimización del diseño. No requiere del proceso TSV.

Duplica la capacidad de una DRAM DDR5 de 16 Gb del mismo tamaño y, respecto a los módulos de 128 GB con 16 Gb de DRAM, reduce el consumo un 10 %.

“Con nuestra DRAM de 32 Gb de 12 nm, hemos asegurado una solución que habilitará módulos DRAM de hasta 1 TB, lo que nos permitirá estar en una posición ideal para satisfacer la creciente necesidad de DRAM de alta capacidad en la era de la inteligencia artificial y el Big Data”, señala SangJoon Hwang, vicepresidente ejecutivo de Productos y Tecnología DRAM de Samsung Electronics.

Samsung promete seguir “desarrollando soluciones DRAM a través de tecnologías de proceso y diseño diferenciadas para romper los límites de la tecnología de memoria”.