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Samsung Electronics culmina su memoria DRAM DDR5 de 12 nm

Samsung Electronics da un paso más en el segmento de las memorias DRAM. Ha anunciado un modelo DDR5 de 16 Gb que ha sido construido con tecnología de proceso de 12 nm.

Para ello, ha confiado en un nuevo material y una tecnología de diseño que mejora las características del circuito. Samsung promete velocidades de hasta 7,2 Gbps y una reducción del 23 % en términos de consumo respecto a la DRAM anterior.

Esta memoria será “clave para impulsar la adopción de DRAM DDR5 en todo el mercado”, opina Jooyoung Lee, vicepresidente ejecutivo de tecnología y producto DRAM en Samsung Electronics, que tiene previsto comenzar la producción en masa en 2023.

“Con un rendimiento y una eficiencia energética excepcionales, esperamos que nuestra nueva DRAM sirva como base para operaciones más sostenibles en áreas como la informática de última generación, los centros de datos y los sistemas impulsados por inteligencia artificial”, señala.

La memoria DRAM DDR5 de 12 nm de Samsung, además, ha completado la evaluación de producto que garantiza la compatibilidad con las plataformas Zen de AMD.

Mónica Tilves

Licenciada en Xornalismo por la Universidad de Santiago de Compostela en la especialidad de Periodismo Electrónico y Multimedia. Apasionada de los gadgets, la fotografía digital, el diseño web y el arte. Tras un primer contacto con el mundo de la prensa escrita y con la suficiencia investigadora debajo del brazo, me decanto por los medios online. Cubro la actualidad informativa en Silicon Week desde 2011, además de colaborar en otras publicaciones del grupo NetMediaEurope en España como Silicon News. Ahora en Silicon.es.

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