Samsung desarrolla una nueva memoria DRAM
Se trata del primer módulo DDR4 DRAM fabricado con tecnología de 30 nanómetros, y según el gigante surcoreano puede transferir datos a una velocidad de 4 gigabits por segundo.
Por otro lado, en el plano de la energía permite un ahorro del 40% frente a los modelos de chips con DDR3 DRAM que también alcanzan esa elevada velocidad.
Hong Wan-hoon, president ejecutivo de Samsung, ha comentado que el nuevo chip de memoria tendrá gran utilidad en los servidores y centros de datos, y también será importante desde el punto de vista ecológico.
El año que viene está previsto que el nuevo chip se empiece a expandir de forma masiva en el mercado, y desde la empresa asiática también han desvelado que desean que en lograr su estandarización en agosto por parte del Consejo de Ingeniería de Dispositivos Electrónicos Ensamblados.
vINQulos
