Samsung ha desarrollado un módulo de memoria móvil DRAM sobre el que afirma que puede transferir datos cuatro veces más rápido que las tecnologías existentes utilizando además menos energía.
El DRAM de 1GB tiene un amplio interfaz diseñado para smartphones y tablets y alcanza unas velocidades de transferencia de 12,8 Gbps. Esto incrementa por ocho la banda ancha de las DDR DRAM móvil, y además utilizando un 87% menos de energía.
Para la transferencia de los datos se utilizan un total de 521 pins, explica Samsung, frente al máximo anterior, que estaba en 32 pins. La compañía asegura además que el nuevo interfaz es capaz de soportar un máximo de 1.200 pins.
Este avance representa una gran contribución en el desarrollo de productos móviles de alto rendimiento. Byungse So, vicepresidente senior de productos de memoria de Samsung ha dicho que su compañía continuará extendiendo la gama de productos de memoria móvil de alto rendimiento.
Se espera que la venta de DRAM crezca más de 800% este año, gracias sobre todo a la mayor demanda de samrtphones y tablets, asegunran desde la firma de investigación de mercado iSuppli. Las ventas podrían alcanzar los 353,3 millones de gigabits este año, y crecerán hasta los 1.000 millones en 2012, los 2.200 millones en 2013 y los 3.500 millones en 2014.
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