Samsung desarrolla el primer módulo de memoria DDR4 basado en tecnología de 30nm

Samsung acaba de finalizara el desarrollo de los primeros módulos de memoria para PC DDR4 DRAM, en los que ha utilizado tecnología de fabricación de 30 nanómetros para los chips.

Esta nueva generación de memoria dinámica de acceso aleatorio es capaz de suministrar unas tasas de transferencia de 2,13 Gbps y trabaja a 1,2 voltios. Tal y como señala el fabricante, su uso en un portátil supondría un ahorro energético del 40% si lo comparamos con la tecnología DDR3. En un futuro, la memoria DDR4 será capaz de transferir datos a 3,2 Gbps.

Con este anuncio, Samsung sigue liderando también en materia de innovación ya que fue el primer fabricante en desarrollar los módulos DDR (1997), DDR2 (2001) y DDR3 (2005, con tecnología de fabricación de 80 nanómetros).

De forma paralela, Samsung ha asegurado que tiene previsto invertir durante 2011 un total de 38.000 millones de dólares, lo que supone un 18% más que el año que acaba de concluir. Para hacernos una idea del potencial del Grupo Samsung a nivel mundial, su facturación supone la quinta parte del Producto Interior Bruto de Corea del Sur.