Samsung confirma la producción en masa de memoria V-NAND
Pero los nuevos chips de Samsung no sólo utilizan un proceso de 10 nm, sino también una arquitectura vertical tridimensional basada en la tecnología 3D CTF. Gracias a esto permite que además de contar con una densidad de memoria mayor, también ofrezca un mejor rendimiento, velocidad y confianza.
Según Samsung, la estructura tridimensional permite interconectar los módulos de memoria de tal manera que se incrementa su confianza entre 2 y 10 veces, además de aumentar al doble el rendimiento de escritura con respecto a otros chips de 10 nm.
Con hasta 24 células dispuestas verticalmente, estos chips ofrecen una densidad de 128 GB como mínimo, llegando incluso hasta a 1 TB. Debido a esto no sólo están pensados para la memoria interna de smartphones y tablets sino también para SSDs.
Esta tecnología es el fruto de 10 años de desarrollo y hasta 300 patentes la blindan para que ni Apple ni nadie pueda usarla sin el consentimiento de Samsung, lo cual es una pena, ya que si fuera más abierta más fabricantes podrían utilizarla y se adoptaría antes y con precios más competitivos. Sea como sea se espera que los dispositivos de 2014 tengan como estándar 128 GB de memoria interna gracias a ella.
vINQulos
