Samsung comienza a fabricar chips de 32GB 3D V-NAND

La empresa coreana Samsung ya anunció hace algún tiempo que había desarrollado un sistema de fabricación de chips de memoria flash de tercera generación V-NAND, que permitían duplicar la densidad de memoria, además de mejorar la eficiencia y rendimiento, aumentando incluso la productividad en un 40%.

El año pasado Samsung empezó la producción de sus chips V-NAND de segunda generación, y en tan sólo un año, la compañía ha conseguido poner en marcha los de tercera generación, chips V-NAND con 48 capas de 3-bit MLC, frente a las 32 capas de los anteriores. Ahora cada matriz de celdas de 48 capas está conectada por 1.800 millones de canales que permiten que cada chip contenga 85.300 millones de celdas con 3 bits de datos cada una. Esto supone 32GB de capacidad por chip.

Pero además de esto, los nuevos chips de memoria de Samsung consumen un 30% menos y su producción mejora un 40% respecto a los anteriores, duplicando la capacidad y permitiendo ahora, con la producción en masa, que a lo largo de este 2015 podamos comenzar a ver discos SSD y terminales móviles con mayor capacidad sin que suponga un gran coste adicional. Si los SSD de Samsung de 2TB parecían ser ya suficientemente grandes, dentro de poco podremos verlos seguramente de 4TB.