La empresa coreana Samsung es uno de los principales fabricantes de chips de memoria del mundo, además de smartphones, pero parece que no es suficiente para ella y quiere asegurarse su posición con sus nuevos módulos de memoria RAM HBM2.
Se trata de la memoria RAM más rápida del mundo, con un ancho de banda de 256GBps, más del doble que sus anteriores HBM1 y más de 7 veces lo que ofrecen los actuales chips GDDR5 RAM de 4Gb, la más rápida que se fabrica hoy en día. Pero no sólo eso, los nuevos HBM2 de Samsung también mejorar la eficiencia, duplicando el ancho de banda por vatio frente a los GDDR5 RAM de 4Gb, con el añadido de funcionalidad ECC integrada.
Para conseguirlo, los HBM2 de Samsung se basan de de nuevo en una arquitectura de memoria 3D, de manera que el módulo de 4GB HBM2 lo forman cuatro núcleos de 8Gb apilados en vertical e interconectados por más de 5.000 TSV, los que supone 36 veces más de uno DDR4.
Junto a los módulos HBM2 de 4GB, pensados para tarjetas gráficas de alto rendimiento, Samsung plantea también módulos de 8GB, que se usarán en soluciones profesionales y que permiten un ahorro de un 95% de espacio frente a GDDR5 RAM. Sin duda una tecnología que va a mejorar el sector y que Samsung ya está fabricando en masa para que esté disponible lo antes posible.
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