Haciendo uso de un proceso de fabricación de 50nm, Samsung ha desarrollado los nuevos chips de 4 Gb DDR3, que pueden integrarse, en módulos registrados para servidores sumando un total de 8 GB en un sólo módulo con 16 chips, a la vez que en módulos DIMM y SODIMM (para portátiles). En la gama muy alta, los empaquetados de doble capa podrían permitir a Samsung ofrecer dispositivos de memoria de hasta 32 GB.
A día de hoy, la memoria de gama alta para servidores está disponible en módulos de hasta 16 GB, aunque en raras ocasiones se ven, siendo más estándar disponer de packs de 8 GB con precios que superan los 1.000 dólares por módulo.
El nuevo chip de 4Gb (512MB) de memoria funciona a un menor voltaje que el estándar DDR3 (1,5v) quedándose en un 20% menos, 1,35 voltios lo que reducirá su temperatura de funcionamiento y consumo. La máxima velocidad a la que puede funcionar es 1,6 Gbps y en teoría un módulo de 16GB con módulos de 4 Gb, en lugar de los hasta ahora habituales 2Gb, consume un 40% menos que un módulo con chips de 2Gbps.
En cuanto a la entrada en el mercado de los nuevos chips, se espera que para 2009 módulos con chips de 4 Gb acaparen un 3% del mercado aumentando paulatinamente hasta 2011 cuando se espera que el porcentaje llegue hasta un 33%.
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