Los chips del mañana

Investigadores dirigidos por Daisuke Nakamura, del Toyota Central R&D Laboratories de Aichi, en Japón, han descrito la manera de construir obleas de carburo de silicio, SiC con muy pocos defectos en lo que es un paso esencial para la fabricación en masa de dispositivos electrónicos a partir de este compuesto, según informa la publicación científica Nature. Los investigadores han señalado, no obstante que quedan seis años antes de que el proceso pueda ser comercializado.

La nuevo proceso implica la creación de capas de SiC a partir de gas a altas temperaturas que permite que la cristalización del compuesto se produzca sólo en su parte más pura. Por este método las obleas pueden crearse con muy poco nivel de defectos, según los investigadores.

“Esto ha sido un inmenso reto durante años y tendrá grandes implicaciones para la sociedad”, comentaba a Nature Nick Wright, experto electrónico de la University of Newcastle.

Las nuevas aplicaciones incluyen un control mucho más eficiente en equipamiento doméstico y motores que funcionan a altas temperaturas. Los transistores SiC experimentales desarrolladores por la Japanese National Institute of Advanced Industrial Science and Technology han mostrado mucha menos pérdida de energía, un mayor rendimiento y mayor voltaje que sus los creados con silicio.

SiC es un semiconductor, pero su utilización en la electrónica ha estado restringido porque es extremadamente duro. Con un punto de fusión cercano de los 2.700 grados Celsius (el doble que el del silicio) y una dureza cercana a la del diamante, ha probado ser un material con el que es casi imposible trabajar.