La nuesva estructura interna estará basada en varios hilos que ofrezcen una mayor eficiencia energética gracias a particionar los módulos en múltiples canales independientes que comparten un puerto de acceso y comandos común.
Los módulos soportarán transferencias de 64bytes con utilización plena del bus, resultando en ganancia de rendimiento de hasta un 50% comparado con los actuales módulos DDR3. Según ambas compañías las pruebas han revelado que hasta la fecha no sólo se ve un aumento de rendimiento del 50% con los módulos DDR3 DRAM sino que también el consumo se ve reducido un 20% frente a la tecnología de los módulos DDR3 tradicionales.
Esperan hacer una demostración de la nueva tecnología en el IDF 2009.
vINQulos
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