La nueva generación de materiales, denominados biferroicos, poseen
características magnéticas y eléctricas que podrán revolucionar las tecnologías
de almacenamiento de la información.
Los resultados del estudio, que se publicará en la edición digital de la
revista ?Nature Materials‘,
demuestran que estos materiales pueden usarse para la fabricación de una nueva
generación de memorias para el almacenamiento de información. Los materiales
bioferroicos poseen la cualidad por la que los campos magnéticos y eléctricos se
encuentran emparejados.
Este descubrimiento permite la escritura eléctrica o magnética sobre el
dispositivo de memoria y realizar su lectura eléctricamente. Este progreso
mejora las memorias existentes ya que combina las ventajas de la tecnología
eléctrica y magnética y evita sus desventajas.
?La magnetoelectrónica está llamada a sustituir la electrónica convencional.
Nuestros materiales y el dispositivo que hemos fabricado con ellos, abren nuevas
vías de control y gestión de memorias y computación. Esperamos que dé un nuevo
impulso a la magnetoeletrócnica y que permita que se desarrolle más allá de los
actuales cabezales GMR de los lectores de discos duros o de las memorias
MRAM o
FeRAM actuales?,
declaró Joseph Fontcuberta, uno de los científicos españoles que ha dirigido el
trabajo, a Europa Press.
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