La tecnología NAND Flash está experimentando una nueva revolución de la mano de IM Flash Technologies (joint-venture de Intel Corporation y Micron Technology), que ha desvelado la primera memoria de celdas multinivel (MLC) de 20 nanómetros y 128 Gb.
Se trata también del primer módulo en admitir un terabit para almacenamiento de datos en un paquete del tamaño de una yema dactilar, mediante el uso de sólo ocho chips.
Cumple con la especificación de alta velocidad ONFI 3.0 para alcanzar los 333 megatransfers por segundo (MT/s), proporcionando una solución de almacenamiento de estado sólido más rentable para productos especialmente delgados como los smartphones y las tabletas.
Y, según sus creadores, proporciona dos veces la capacidad de almacenamiento y rendimiento de los chips NAND con características similares ya existentes en la industria.
Al parecer, la clave de este éxito radica en una nueva estructura de celdas planas en el proceso de 20 nanómetros que permiten escalar de forma más agresiva que en la arquitectura convencional.
Paralelamente, las compañías también han anticipado el inicio de la producción en masa de sus chips NAND de 64 Gb, formato SLC y mismo proceso de fabricación de 20 nanómetros. Se espera que la transición a las piezas de 128 Gb se produzca durante el primer semestre de 2012.
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