Intel no renuncia a la Ley de Moore

Intel insiste con la Ley de Moore y celebra la llegada de los principales componentes de la primera tecnología EUV High-NA, enviada por ASML, para continuar con su desarrollo más allá de cinco nodos en cuatro años.

Así lo ha comunicado a través de su cuenta en la red social X. Intel implementará esta tecnología para impulsar la hoja de ruta de innovaciones en transistores, con la vista puesta en producir con EUV High-NA a partir de 2025.

Hace casi dos años, estrechaba lazos con ASML e Intel y emitía su primera orden de compra para el sistema TWINSCAN EXE:5200 con el propósito de avanzar en tecnología de litografía de semiconductores. Este sistema ofrece apertura numérica de 0,55 y productividad de más de 200 obleas por hora.

“En comparación con los sistemas EUV actuales, nuestra innovadora hoja de ruta EUV ampliada ofrece mejoras litográficas continuas con menor complejidad, coste, tiempo de ciclo y energía que la industria de chips necesita para impulsar un escalado asequible hasta bien entrada la próxima década”, según explicaba su por entonces CTO, Martin van den Brink.

“El objetivo de Intel es permanecer a la vanguardia de la tecnología litográfica de semiconductores”, apuntaba Ann Kelleher, directora general de Desarrollo Tecnológico de Intel.

“Trabajando estrechamente con ASML”, indicaba, “aprovecharemos el patrón de alta resolución de EUV High-NA como una de las formas de continuar con la Ley de Moore y mantener nuestra sólida historia de progresión hasta las geometrías más pequeñas”.