Intel y Micron dejarán de desarrollar conjuntamente la tecnología 3D NAND
La ‘joint venture’ entre ambos fabricantes acuerda el desarrollo de la tercera generación de memoria 3D NAND, que llegará al mercado a comienzos de 2019. A partir de ese momento, seguirán caminos separados.
Intel y Micron seguirán trabajando a través de su ‘joint venture’ IMFT. Lo harán para desarrollar la tercera generación de la tecnología 3D NAND, que triplica la capacidad de la tecnología NAND tradicional. Sin embargo, en el momento en que llegue al mercado a comienzos del año que viene, ambas compañías seguirán sus propios desarrollos por separado.
Según Rob Crooke, máximo responsable de la división de memorias no volátiles de Intel, ese será el mejor momento para que cada firma siga desarrollando la memoria 3D NAND por separado, sin precisar más detalles al respecto.
La asociación entre Intel y Micron viene de largo, suministrando en la actualidad productos NAND de segunda generación y diseñados en 64 capas para amentar la capacidad de las memorias en el mismo espacio. No obstante, las dos se comprometen a seguir sus hojas de ruta en 3D NAND más allá de esa tercera generación.
También confirman que mantienen intacto su acuerdo para desarrollar y fabricar la tecnología 3D XPoint, mucho más eficiente que la 3D NAND pero también más cara de producir. Estos productos saldrán de las instalaciones compartidas que tienen en Lehi, Utah (Estados Unidos). Es el caso de Intel Optane, cuyo rendimiento es hasta 14 veces superior al de las unidades de almacenamiento tradicional.
