IBM reinventa las memorias no volátiles
Tal y como indican en News.com, las llamadas Spin Torque Transfer RAM (STT-RAM) se basan en la aplicación de corrientes eléctricas para cambiar la dirección del campo magnético. Ese cambio causa un cambio en la resistencia, que a su vez se interpreta como un 0 o un 1.
El primer prototipo tardará cuatro años en aparecer y estará fabricado en tecnología de 65 nanómetros, situando a esta memoria a la cabeza de las posibles sucesoras de las memorias no volátiles actuales junto a las llamadas memorias de cambio de fase.
vINQulos
CNET News.com
