Los chips SRAM son normalmente los primeros dispositivos de un semiconductor que se prueban cuando se quiere poner en marcha un nuevo proceso de fabricación. Estos dispositivos desarrollados por AMD, Freescale, IBM STMicroelectronics, Toshiba y el Collage of Nanoscale Science and Engieering (CNSE), se han construido con el diseño tradicional de seis transistores en una oblea de 300mm y con una celda de memoria de sólo 0,1µm2, cuando el tamaño de la celda SRAM de 45 nanometros de Intel es de 0,346 µm2 (es la que utilizó para los actuales procesadores de 45 nm).
El chip de 22 nanometros está a dos generaciones vista todavía, y AMD ni siquiera ha alcanzado a Intel en los 45 nanometros. Sin embargo, este anuncio significa que IBM va a buen ritmo en sus desarrollos y que Intel no va a poder dormirse en los laureles si quiere mantener el paso hacia los 22 nm. Intel presentó la primera oblea con celda SRAM de 32 nm en septiembre del año pasado y sus planes eran mostrar las celdas SRAM de 22 nm el próximo año. Los primeros prototipos de CPU a 32 nm podría presentarlos en el IDF esta semana.
IBM dice que su proceso a 32 nm va bien y ha prometido que utilizará “una tecnología de compuerta metálica high-k de 32 nm que ninguna otra compañía podrá igualar”.
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