IBM y Samsung crean un chip VTFET que reduce el uso de energía en un 85 %

La crisis de semiconductores está agudizando el ingenio. Los miembros de la industria invierten en investigación y, en el caso concreto de IBM y Samsung Electronics, se han propuesto ampliar la Ley de Moore.

Ambas compañías han diseñado conjuntamente una nueva arquitectura de transistores verticales que, en comparación con alternativas finFET o transistor de efecto de campo de aleta, reduce el uso de energía en un 85 %.

Y esta no sería su única ventaja. El transistor vertical o VTFET abre las puertas a seguir escalando más allá de la nanoescala.

Este desarrollo se orienta a procesos que consumen mucha energía, como la minería de criptomonedas y el cifrado de información, para limitar su huella de carbono. También permitiría dar vida a baterías de teléfonos móviles con más de una semana de autonomía sin necesidad de recarga.

Sus creadores esperan, además, que potencie el internet de las cosas y los dispositivos edge para operaciones en entornos como los vehículos autónomos, las naves espaciales y las boyas oceánicas.

“Este anuncio desafía el diseño convencional y da pie a replantearse cómo seguimos ofreciendo innovaciones que mejoren la vida de la sociedad, los negocios y reduzcan nuestro impacto medioambiental”, declara Mukesh Khare, vicepresidente de Nube Híbrida y Sistemas de IBM Research.

IBM y Samsung implementan así transistores construidos perpendicularmente a la superficie del chip con un flujo de corriente vertical, o de arriba a abajo, en vez de seguir la tradicional construcción plana con la corriente eléctrica fluyendo lateralmente.