IBM y Samsung crean un chip VTFET que reduce el uso de energía en un 85 %
Gracias a este desarrollo se podrían desarrollar móviles con más de una semana de autonomía sin necesidad de recarga.
La crisis de semiconductores está agudizando el ingenio. Los miembros de la industria invierten en investigación y, en el caso concreto de IBM y Samsung Electronics, se han propuesto ampliar la Ley de Moore.
Ambas compañías han diseñado conjuntamente una nueva arquitectura de transistores verticales que, en comparación con alternativas finFET o transistor de efecto de campo de aleta, reduce el uso de energía en un 85 %.
Y esta no sería su única ventaja. El transistor vertical o VTFET abre las puertas a seguir escalando más allá de la nanoescala.
Este desarrollo se orienta a procesos que consumen mucha energía, como la minería de criptomonedas y el cifrado de información, para limitar su huella de carbono. También permitiría dar vida a baterías de teléfonos móviles con más de una semana de autonomía sin necesidad de recarga.
Sus creadores esperan, además, que potencie el internet de las cosas y los dispositivos edge para operaciones en entornos como los vehículos autónomos, las naves espaciales y las boyas oceánicas.
“Este anuncio desafía el diseño convencional y da pie a replantearse cómo seguimos ofreciendo innovaciones que mejoren la vida de la sociedad, los negocios y reduzcan nuestro impacto medioambiental”, declara Mukesh Khare, vicepresidente de Nube Híbrida y Sistemas de IBM Research.
IBM y Samsung implementan así transistores construidos perpendicularmente a la superficie del chip con un flujo de corriente vertical, o de arriba a abajo, en vez de seguir la tradicional construcción plana con la corriente eléctrica fluyendo lateralmente.
