IBM ha anunciado recientemente que
podría triplicar la capacidad de memoria de los chips y duplicar su rendimiento
gracias a un descubrimiento que elimina el cuello de botella que supone el
sistema de memoria actual.
Mediante una combinación de las tecnologías
SRAM y
DRAM, el fabricante acaba de
presentar un circuito DRAM desarrollado en SoI ?silicio sobre aislante? lo
bastante rápido para ser explotado en memoria caché.
Hasta ahora, la memoria basada en la tecnología SRAM (Static Random-Acces
Memory) necesita seis transistores para almacenar un bit, mientas que la DRAM
(Dynamic Random-Access Memory) sólo requiere un transistor y un condensador,
aunque es demasiado lenta para ser adaptada a una caché.
Así, mientras que una memoria DRAM tradicional transfiere un bit de datos en
entre 10 y 12 nanosegundos, y una SRAM realiza la misma operación en entre 0,8 y
1 nanosegundo, la nueva DRAM presentada por IBM ofrece rendimientos del orden de
1,5 nanosegundos, lo que supone una mil millonésima parte de un segundo.
Con un rendimiento como éste, es posible almacenar en la misma superficie
tres veces más de datos en DRAM de nueva generación que en SRAM, con una
complejidad y un precio de fabricación inferiores a ésta.
La compañía ha registrado durante el tercer trimestre incrementos del 20 % en ingresos por…
Fujitsu Kozuchi AI Agent se ofrecerá a través de la plataforma Fujitsu Data Intelligence PaaS.
De momento han sido certificados los modelos TOUGHBOOK 55mk3 y TOUGHBOOK 33mk4.
El objetivo de esta compañía, especializada en productos digitales, es ayudar a las organizaciones combinando…
Entre sus cometidos están supervisar la implementación de proyectos y el desarrollo de iniciativas de…
Así lo afirma un 71 % de los consumidores encuestados por GoDaddy. Hasta una cuarta…