La actividad de la comunidad científica no cesa. Un grupo de investigadores japoneses que trabajan en la Universidad de Chuo ha conseguido desarrollar una arquitectura híbrida para unidades de estado sólido (SSD) que combina memoria resistiva de acceso aleatorio (ReRAM) con otro tipo de memoria, en este caso la popular NAND Flash.
¿La consecuencia directa? Que en comparación con la mayoría de las SSD actuales que sólo hacen uso de la tecnología NAND Flash, este prototipo es capaz de ofrecer un desempeño de escritura 11 veces más rápido, reducir su consumo energético en nada menos que un 93% y estirar su ciclo de vida hasta casi multiplicarlo por 7. Y todo ello a pesar del alto precio inicial de las piezas ReRAM.
Es más, las memorias resistivas permitirían a los centros de datos ahorrarse la incomodidad y los altos costes de reemplazar de forma continuada las unidades de estado sólido desgastadas. Y se predice una rápida adopción de las mismas si los investigadores consiguen convertirlo en un sistema lo suficientemente comercial.
Éste y otros hallazgos están siendo demostrados estos días en el Simposio sobre Circuitos VSLI que se celebra en Hawai, tal y como informa Tech-On!.
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