Buffalo anuncia “la memoria DDR3 más rápida del mercado”
Tales velocidades se encuentran muy por encima de las del estándar, que se sitúan entre 800 a 1.600 MHz. La reducción de consumo sobre DDR2 (1,5 frente a 1,8 voltios) se verá acortada aún más, a 1,2 voltios, gracias al empleo de nuevas tecnologías en los circuitos y diseños optimizados en los procesos de interconexión.
En el caso del modelo anunciado por Buffalo, los 2,4 GHz se consiguen con tensiones de 2,1 voltios alcanzando una capacidad máxima de transferencia realmente espectacular: 19.200 MiB por segundo.
El constante aumento de frecuencia de los módulos de memoria tendrá que lidiar próximamente con el diseño de nuevas plataformas como los Intel iCore 7 (Nehalem), que integran triple controlador de memoria y que según algunas fuentes no podrán funcionar a velocidades mucho mayores de 1 GHz.
No se ha anunciado precios ni disponibilidad para los módulos de memoria de Buffalo.
vINQulos
Xbit Labs
