Arranca la producción de memoria DRAM LPDDR3 de 4Gb y 20nm de Samsung
Capaz de tasmitir datos a 2.133 megabits por segundo por pin, multiplica por más de dos el rendimiento del módulo LPDDR2 actual.
Samsung ya ha comenzado a producir su nueva memoria DRAM LPDDR3 de bajo consumo para dispositivos móviles que tendrá 4 gigabits de capacidad y tecnología de fabricación de 20 nanómetros.
Este avance debería causar un gran impacto en la industria y en los usuarios cuando llegue al mercado ya que, según cálculos de sus responsables, permitirá superar con creces la velocidad a la que los equipos móviles pueden transmitir datos hoy en día.
De hecho, la compañía surcoreana está segura de que este chip es la respuesta ideal para smartphones y tabletas “de alto rendimiento” que están diseñados para manejar experiencias multimedia.
El módulo LPDDR3 de 4GB puede transmitir datos a velocidades de hasta 2.133 megabits por segundo por pin, que es más del doble del rendimiento de LPDDR2 cuya velocidad de transmisión se contabiliza en 800Mbps. En consecuencia, se podrían transmitir, por ejemplo, tres vídeos Full HD de 17 gigabytes en total en tan sólo un segundo.
Siguiendo con las comparaciones, esta nueva tecnología proporcionaría una mejora del 30% en el rendimiento y una reducción del 20% en el consumo energético respecto a la DRAM de 30nm de Samsung.
“Al proporcionar la memoria móvil de nueva generación más eficiente con una capacidad de datos muy grande, estamos permitiendo que los fabricantes de equipos introduzcan diseños más innovadores en el mercado”, apunta Young-Hyun Jun, vicepresidente ejecutivo de ventas y marketing de memoria e Samsung, en un comunicado.
“Nuestra DRAM móvil de 4 gigabits y 20 nanómetros constituye otro ejemplo de nuestra capacidad para ofrecer una memoria bien diferenciada, de alto rendimiento y densidad a nuestros clientes en el momento preciso”, concluye.
