Arranca la producción de la segunda generación de DRAM LPDDR4X de 10 nanómetros

La producción en masa de la nueva generación de DRAM LPDDR4X de 16 Gb y 10 nanómetros ya ha comenzado.

Su artífice es Samsung Electronics y desde la vicepresidencia sénior de Memory Sales & Marketing de la compañía explican que con esta DRAM se conseguirán “soluciones significativamente mejoradas para la próxima generación de dispositivos móviles insignia que deberían llegar al mercado a finales de este año o en la primera parte de 2019″.

El nuevo producto de memoria de Samsung ofrecería “alto rendimiento, alta capacidad y baja potencia”, según lo relatado por Sewon Chun.

En comparación con los chips de DRAM móvil LPDDR4X 1x-nm actuales, esta generación 1y-nm promete reducir la potencia hasta un 10 %. Esto es, manteniendo una velocidad de 4.266 Mb/s.

Mónica Tilves

Licenciada en Xornalismo por la Universidad de Santiago de Compostela en la especialidad de Periodismo Electrónico y Multimedia. Apasionada de los gadgets, la fotografía digital, el diseño web y el arte. Tras un primer contacto con el mundo de la prensa escrita y con la suficiencia investigadora debajo del brazo, me decanto por los medios online. Cubro la actualidad informativa en Silicon Week desde 2011, además de colaborar en otras publicaciones del grupo NetMediaEurope en España como Silicon News. Ahora en Silicon.es.

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