IBM desarrolla con éxito una nueva tecnología de almacenamiento
El gigante azul ha logrado buenos resultados en sus pruebas con la nueva tecnología PCM, mejorando el rendimiento ofrecido por la conocida como DRAM.
Una de las señas de identidad de IBM es la I+D y la compañía ha hecho alarde de ello en su último proyecto, gracias al cual se ha desarrollado la nueva tecnología de memoria de cambio de fase, conocida como PCM por sus siglas en inglés.
Gracias al empleo de la nueva tecnología PCM, los científicos de IBM han conseguido almacenar 3 bits de datos por celda por primera vez, informa la empresa en un comunicado.
Lo cierto es que aunque las tecnologías de memoria más comunes siguen siendo DRAM, Flash o la tradicional HDD, en los últimos años PCM ha ido ganando relevancia debido a su enorme potencial.
Entre las ventajas que ofrece destaca el hecho de que a diferencia de DRAM, aunque se desconecte no pierde datos, y además, que tiene una vida útil de 10 millones de ciclos de escritura, muy superiores a los 3.000 de las memorias USB flash.
Haris Pozidis, uno de los responsables del proyecto, asegura que “llegar a tres bits por célula es un hito importante porque en esta densidad, el coste de PCM será significativamente menor que la DRAM y estará más cerca de flash“.
